Διπλωματικές Εργασίες
Μόνιμο URI για αυτήν τη συλλογήhttps://dspace.library.tuc.gr/handle/123456789/118
Νέα
6
Περιηγούμαι
Πλοήγηση Διπλωματικές Εργασίες ανά Συγγραφέα "Bucher Matthias"
Τώρα δείχνει 1 - 7 από 7
- Αποτελέσματα ανά σελίδα
- Επιλογές ταξινόμησης
Δημοσίευση Development of an advanced platform for controlling the imaging parameters of CMOS image sensors.(Πολυτεχνείο Κρήτης, 2014) Trilyraki Aikaterini; Τριλυρακη Αικατερινη; Balas Costas; Μπαλας Κωστας; Papaefstathiou Ioannis; Παπαευσταθιου Ιωαννης; Bucher Matthias; Bucher MatthiasΔημοσίευση Spectral cube construction from hyper spectral scanning imaging(Technical University of Crete, 2013) Chantzi Efthymia; Χαντζη Ευθυμια; Balas Costas; Μπαλας Κωστας; Kalaitzakis Kostas; Καλαϊτζακης Κωστας; Bucher Matthias; Bucher MatthiasΔημοσίευση Statistical analysis of low frequency noise in Enclosed Gate MOSFETs(Πολυτεχνείο Κρήτης, 2016) Nikolaou Aristeidis; Νικολαου Αριστειδης; Bucher Matthias; Bucher Matthias; Balas Costas; Μπαλας Κωστας; Kalaitzakis Kostas; Καλαϊτζακης ΚωσταςΔημοσίευση Study of low frequency noise in High Voltage MOS transistor(Πολυτεχνείο Κρήτης, 2014) Fellas Konstantinos; Φελλας Κωνσταντινος; Bucher Matthias; Bucher Matthias; Balas Costas; Μπαλας Κωστας; Koutroulis Eftychios; Κουτρουλης ΕυτυχιοςHVMOSFETs find many different applications such as switching applications, input-output operations, voltage conversions, RF amplification etc. The effect of drift region on 1/f noise remained unclear until recently due to the difficulty of performing 1/f noise measurements under high drain voltages, on the order of tens of Volt. This is mainly due to the lack of adequate measurement equipment, which usually restricts low frequency noise to be measured up to just a few Volt, usually generated from batteries. A 1/f noise parameter extraction method for high-voltage (HV-)MOSFETs at 3V drain bias is presented in this thesis. In this region the overall noise is mostly dominated by the noise originating in the channel. The bias dependence of flicker noise, related to transconductance-to-current ratio, allows for an easy means to determine related noise parameters. Though measured data is limited, parameters related to carrier number fluctuation effect may be found. 50 V N and P-channel HV-MOSFETs are investigated for long as well as short channel lengths. The parameter extraction method is applied to a recently established 1/f noise model for HV-MOSFETs, showing a good agreement among model and experimental data.Δημοσίευση Στατιστική ανάλυση θορύβου χαμηλής συχνότητας και σύγκριση μεταξύ διάφορων ειδών τρανζίστορ MOS(Πολυτεχνείο Κρήτης, 2015) Tzivelopoulos Ioannis; Τζιβελοπουλος Ιωαννης; Bucher Matthias; Bucher Matthias; Balas Costas; Μπαλας Κωστας; Pantinakis Apostolos; Παντινακης ΑποστολοςΔημοσίευση Σχεδίαση μεικτών αναλογικών/ψηφιακών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων χαμηλής τάσης και κατανάλωσης για βιοϊατρικές εφαρμογές(Technical University of Crete, 2015) Evaggeliou Nikolaos; Ευαγγελιου Νικολαος; Bucher Matthias; Bucher Matthias; Balas Costas; Μπαλας Κωστας; Pnevmatikatos Dionysios; Πνευματικατος ΔιονυσιοςΚυκλώματα με χαμηλή ισχύ και χαμηλή τάση τροφοδοσίας θεωρούνται υποχρεωτικά για βιοϊατρικές εφαρμογές με σκοπό την ενίσχυση του συστήματος για μακρά διάρκεια ζωής και λιγότερη κατανάλωση ενέργειας. Συνεπώς, η επιλογή της σωστής αρχιτεκτονικής ADC (Analog-to-Digital Converter) είναι πολύ σημαντική. Στην παρούσα διπλωματική εργασία γίνεται εκτενής παρουσίαση των δομών και της λειτουργίας των ADC, αναλογικών σε ψηφιακών μετατροπέων. Ιδιαίτερα μελετάται η σχεδίαση αναλογικών κυκλωμάτων του Successive Approximation ADC για βιοϊατρικές εφαρμογές σε τεχνολογία CMOS. Παρουσιάζονται οι τεχνικές σχεδίασης, οι προδιαγραφές σχεδίασης ανάλογα με την εκάστοτε εφαρμογή και οι διαφορές αυτές που κάνουν την κάθε υλοποίηση ADC ξεχωριστή. Συγκεκριμένα, η χαμηλή κατανάλωση ισχύος, η ταχύτητα, η ακρίβεια και το μικρό κόστος κατασκευής είναι από τα κριτήρια που μας έχουν απασχολήσει στη συγκεκριμένη εργασία. Το κύριο τμήμα της εργασίας αποτελεί η σχεδίαση του Συγκριτή (Comparator), του τελεστικού ενισχυτή και του DAC (R2R Ladder με MOSFET) σε τεχνολογία CMOS 180nm με τη βοήθεια του πακέτου σχεδίασης CADENCE DESIGN SYSTEM, χρησιμοποιώντας το EKV3 MOSFET συμπαγές μοντέλο. Τα σχεδιασμένα κυκλώματα εμφανίζουν αποτελέσματα συγκρίσιμα με υπάρχουσες υλοποιήσεις δίνοντας κίνητρο για εξέλιξη της εργασίας.Δημοσίευση Σχεδίαση φωτοβολταϊκών μετατροπέων DC/AC σε περιβάλλον Matlab/Simulink(Πολυτεχνείο Κρήτης, 2014) Kimionis georgios; Κιμιωνης Γεωργιος; Koutroulis eftychios; Κουτρουλης Ευτυχιος; Kalaitzakis konstantinos; Καλαϊτζακης Κωνσταντινος; Bucher matthias; Bucher Matthias