Εργαστήριο Ηλεκτρονικής

Μόνιμο URI για αυτήν την κοινότηταhttps://dspace.library.tuc.gr/handle/123456789/43

Νέα

44

Περιηγούμαι

Πλοήγηση Εργαστήριο Ηλεκτρονικής ανά Συγγραφέα "Bucher Matthias"

Φιλτράρετε τα αποτελέσματα πληκτρολογώντας τα πρώτα γράμματα
Τώρα δείχνει 1 - 2 από 2
  • Δεν υπάρχει διαθέσιμη μικρογραφία
    Δημοσίευση
    Design and layout techniques in analog/RF integrated circuits
    (Technical University of Crete, 2014) Papathanasiou Konstantinos; Παπαθανασιου Κωνσταντινος; Bucher Matthias; Bucher Matthias; Kalaitzakis Kostas; Καλαϊτζακης Κωστας; Balas Costas; Μπαλας Κωστας
    Τα τελευταία χρόνια, η ραγδαία ανάπτυξη στα αναλογικά ολοκληρωμένα κυκλώματα πολύ υψηλών συχνοτήτων (RFIC) οφείλεται κυρίως στην εξέλιξη της τεχνολογίας CMOS. Οι λόγοι που οδήγησαν σε αυτήν την ανάπτυξη συνοψίζονται κυρίως στους εξής: την υψηλή απόδοση, που απορρέει από τη σμίκρυνση του μήκους καναλιού των CMOS τεχνολογιών, το χαμηλότερο κόστος τους, συγκριτικά με άλλες τεχνολογίες, καθώς και την γρήγορη ενσωμάτωση τους στον τομέα της μικροηλεκτρονικής. Αποτέλεσμα των παραπάνω, είναι τεχνολογίες CMOS με μήκος καναλιού κάτω από τα 45nm να θεωρούνται, πλέον, αιχμή της τεχνολογίας. Λόγω του υψηλού λόγου απόδοσης προς κόστος και της αξιοπιστίας (reliability) τους, τεχνολογίες με μεγαλύτερα μήκη καναλιού (90nm ή και 180nm) χρησιμοποιούνται ακόμα και στις μέρες μας κατά κόρον στην σχεδίαση και κατασκευή RFICs. Σκοπός της παρούσας μεταπτυχιακής εργασίας είναι η μελέτη και αξιοποίηση τεχνικών σχεδίασης για RFICs υψηλής απόδοσης, καλύπτοντας ένα μεγάλο εύρος CMOS τεχνολογιών, από τα 90nm ως τα 30nm. Η παρούσα έρευνα εκτείνεται από την ορθή υλοποίηση του φυσικού σχεδίου (layout) RF διατάξεων και κυκλωμάτων έως τον καθορισμό του βέλτιστου σημείου λειτουργίας τους και βρίσκει εφαρμογή σε κυκλώματα ενισχυτών χαμηλού θορύβου (LNA). Για τον σκοπό αυτό σχεδιάστηκε, υλοποιήθηκε και κατασκευάστηκε ένα RF τεστ τσιπ σε τεχνολογία 90nm της TSMC. Οι δομές που υλοποιήθηκαν, στη συνέχεια μετρήθηκαν on wafer,, χαρακτηρίσθηκαν και μοντελοποιήθηκαν με το EKV3 μοντέλο έως τα 26.5GHz. Εν συνεχεία, μελετήθηκε και παρουσιάζεται η επίδραση βασικών παραμέτρων σχεδίασης, όπως μήκος (L), πλάτος (W) καναλιού, αριθμός δακτύλων (NF) στην απόδοση των MOSFET δομών και των ενισχυτών χαμηλού θορύβου, μέσω αντιπροσωπευτικών δεικτών απόδοσης (figures of merit), σε τεχνολογία με μήκος καναλιού 90nm. Οι συγκεκριμένοι δείκτες απόδοσης μελετήθηκαν επίσης σε προηγμένη CMOS τεχνολογία με μήκος καναλιού 30nm. Tα αποτελέσματα, τα οποία επικυρώθηκαν με το EKV3 μοντέλο, ανέδειξαν την μετατόπιση του βέλτιστου σημείου λειτουργίας RF κυκλωμάτων προς το μέσο της περιοχής μέτριας αναστροφής, με την μείωση του μήκους καναλιού. Το γεγονός αυτό είναι πολύ σημαντικό, καθώς καθιστά εφικτή την μείωση της κατανάλωσης ισχύος, με ταυτόχρονη αύξηση της συνολικής απόδοσης των εν λόγω κυκλωμάτων.
  • Δεν υπάρχει διαθέσιμη μικρογραφία
    Δημοσίευση
    Study of low frequency noise in High Voltage MOS transistor
    (Πολυτεχνείο Κρήτης, 2014) Fellas Konstantinos; Φελλας Κωνσταντινος; Bucher Matthias; Bucher Matthias; Balas Costas; Μπαλας Κωστας; Koutroulis Eftychios; Κουτρουλης Ευτυχιος
    HVMOSFETs find many different applications such as switching applications, input-output operations, voltage conversions, RF amplification etc. The effect of drift region on 1/f noise remained unclear until recently due to the difficulty of performing 1/f noise measurements under high drain voltages, on the order of tens of Volt. This is mainly due to the lack of adequate measurement equipment, which usually restricts low frequency noise to be measured up to just a few Volt, usually generated from batteries. A 1/f noise parameter extraction method for high-voltage (HV-)MOSFETs at 3V drain bias is presented in this thesis. In this region the overall noise is mostly dominated by the noise originating in the channel. The bias dependence of flicker noise, related to transconductance-to-current ratio, allows for an easy means to determine related noise parameters. Though measured data is limited, parameters related to carrier number fluctuation effect may be found. 50 V N and P-channel HV-MOSFETs are investigated for long as well as short channel lengths. The parameter extraction method is applied to a recently established 1/f noise model for HV-MOSFETs, showing a good agreement among model and experimental data.